三菱電機は第5世代通信(5G)市場に攻勢をかける。2019年度、高周波デバイスでは5G基地局向け窒化ガリウム(GaN)デバイスの量産に乗り出す。光デバイスでも、電界吸収型光変調器を集積した半導体レーザー(EML)、分布帰還型半導体レーザー(DFB)、フォトダイオードなどを拡充するほか、データセンター向け400Gbps製品を本格投入する。18年度の高周波・光デバイス事業の売上高は中国市場の低迷により微減を予想するが、19年度は5G需要の取り込みにより2ケタ成長に回帰、20年度は同事業で500億円突破を目指す。

5G基地局向け光デバイス

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