パワー半導体業界トップの独インフィニオンテクノロジーズがさらなる積極攻勢を打ち出す。シリコンデバイスはおう盛な需要に応えるためオーストリア工場に隣接し、口径300ミリメートル対応の新工場を建設する。次世代炭化珪素(SiC)パワー半導体は品ぞろえを拡充するとともに、SiCウエハー不足を補うため米クリーと長期供給契約を締結した。併せて窒化ガリウム(GaN)パワー半導体もパナソニックと協業するなど力が入る。主力のシリコンデバイスでは対応が難しい分野をSiCやGaNで補うことで多様なアプリケーションに応える戦略である。市場平均の2倍近い年平均成長率を見込むが、「先進的なユーザーの多い日本はさらに高い成長を目指す」(針田靖久 同社日本法人インダストリアルパワーコントロール事業本部長)と、日本が成長のカギを握る。

オーストリア・フィラッハ工場の隣に新工場を建設

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