三菱ケミカルは、従来品より大型かつ欠陥が極めて少ない窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶基板を開発、パワー半導体向けの量産準備を始める。電気自動車（ＥＶ）や次世代通信規格「５Ｇ」の広がりで、電気を効率よく取り出すことができ、機器や装置の小型化に大きく寄与するパワー半導体向けＧａＮ基板の需要増が見込まれる。このため同社は２０２０年度内に独自の液相成長法を用いた大型の量産設備を国内に建設し、事業化に向けた実証に乗り出す。４インチまで開発ずみで、６インチの開発に着手しており「２４年の市場投入目標に対し前倒しで進んでいる」（三木崇利執行役員）として準備を急ぐ。続きは本紙で
独自製法で開発した４インチのＧａＮ基板。通常品に比べ結晶欠陥を１００分の１～１０００分の１程度に抑えられる
