三菱ケミカルは、自動車などの省エネ化に貢献する次世代パワー半導体材料の窒化ガリウム(GaN)基板を量産する。2023年以降の直径100ミリメートル量産、25年以降の150ミリメートル量産へ向け、毎月数万枚規模の生産体制を構築する。同社でGaNを担当する藤戸健司リーダーは「高品質基板を大型化することで、高速・高電圧パワーデバイスの量産が可能になる」と話す。続きは本紙で

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