田中貴金属、ルテニウム成膜、半導体前工程適用へ、ロジック・ＤＲＡＭで有望視

　田中貴金属工業は、半導体前工程用にルテニウム成膜材料の実用化を進める。ＡＬＤ（原子層堆積）／ＣＶＤ（化学的気相体積）用の前駆体材料（プリカーサー）で、先端ロジックのコンタクト配線層やＤＲＡＭのキャパシター電極で試作評価が進行。ロジックの３ナノメートルノードなど次世代品以降を念頭に材料開発を推進する。リサイクル技術も並行して確立し、持続可能なプロセスとして数年後の量産適用に備える。続きは本紙で

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