田中貴金属がプリカーサー　ルテニウムで蒸気圧１００倍超、半導体高性能化に寄与

　田中貴金属工業は、既存の液体ルテニウム（Ｒｕ）プリカーサーに比べて蒸気圧を１００倍以上に高めたＣＶＤ（化学気相成長法）・ＡＬＤ（原子層堆積法）用プリカーサー「ＴＲｕＳＴ(トラスト)」を開発した。この実験値は常温下における世界最高の蒸気圧値（同社調査）。プリカーサーの蒸気圧が高く、またその分子構造が小さいほど成膜室内のプリカーサー濃度や基板表面への分子吸着密度を高めることが可能となる。本プリカーサーにより、スマートフォンおよびＰＣ用や今後の需要拡大が見込まれるデータセンターで使用される半導体の高性能化・省電力化に貢献する。続きは本紙で

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