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著者
鵜飼 育弘
出版社
株式会社シーエムシー・リサーチ
発行日
2020年4月30日
サイズ
A4判・並製・本文 161頁・カラー
ISBN
978-4-904482-77-3

タイトル/注文番号 販売価格(税別)

978-4-904482-77-3
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第1弾、第2弾 2冊セット
¥100,000

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本書の概要

[刊行にあたって]

 「酸化物半導体薄膜技術の全て第2弾」と題した本書は次の章から構成される。

  第1章 酸化物半導体薄膜技術の潮流
  第2章 酸化物薄膜トランジスタの信頼性
  第3章 LSIへの応用
  第4章 酸化物半導体薄膜製造装置
  第5章 酸化物半導体関連部材
  第6章 グリーンプロセスによる酸化物半導体薄膜の作製

 本書の目的は、大きく分けて以下の3点である。

(1)Society 5.0および5Gと酸化物半導体薄膜技術の関係を理解し、応用デバイスの開発及び実用化につなげる。
(2)デバイスがどのような装置と部材で製造されているのか、基盤技術を取得
   グリーンプロセスによるデバイス作製技術の動向を把握
(3)ディスプレイ以外への応用としてLSIやセンサの開発動向を取得

 本書が読者諸賢にいささかでも役立つなら著者の喜びとするところであり、同時に本書の内容について諸賢各位に御叱責 をお願いする次第である。

[目  次]

第1章 酸化物半導体薄膜技術の潮流
1. はじめに
2. Society 5.0と第5世代移動通信システム(5G)
3. 酸化物半導体デバイスへの期待と展望
 3.1 シャープ第5世代IGZO開発
 3.2 30V型4KフレキシブルOLEDディスプレイ開発
 3.3 Human Machine Interface
 3.4 インテリジェントセンサ
 3.5 グリーンプロセス
4. おわりに
参考文献

第2章 酸化物薄膜トランジスタの信頼性
1. はじめに
2. 金属酸化物薄膜トランジスタの信頼性劣化現象
 2.1 ACストレステスト
 2.2 発光
 2.3 発熱
 2.4 まとめ
3. 高移動度酸化物薄膜トランジスタにおける信頼性劣化現象
 3.1 はじめに
 3.2 実験方法
 3.3 実験結果
 3.4 劣化メカニズムの考察
4. センサ応用を目指した酸化物薄膜トランジスタの信頼性評価
 4.1 はじめに
 4.2 実験
 4.3 結果
  (1) IWZO-TFTの安定性
  (2) SAMとその評価
  (3) センサの試験結果
 4.4 まとめ
参考文献

第3章 LSIへの応用
1. はじめに
2. 半導体エネルギー研究所
 2.1 はじめに
 2.2 酸化物半導体の特徴
 2.3 酸化物半導体LSI
 2.4 DOSRAM極低消費電力メモリ
 2.5 N off CPU®(Normally-Off Central Processing Unit)センサネットワークへ スタンバイ電力“0(Zero)”の低消費電力CPU
 2.6 NOSRAM®(Nonvolatile Oxide Semiconductor Random Access Memory)
 2.7 Foldableディスプレイ
 2.8 おわりに
3. IGZOと次世代機能性材料を融合した新デバイス
 3.1 背景と経緯
 3.2 研究内容
 3.3 今後の展開

第4章 酸化物半導体薄膜製造装置
1. はじめに
2. Applied Materials
 2.1 市場動向
 2.2 Applied MaterialsのGen.10+対応装置
 2.3 G10+歩留まりへの挑戦
 2.4 酸化物半導体TFT
  (1) Gen.10+装置の歩留まり管理
  (2) 酸化物半導体TFTによる8K OLED TVの実現
 2.5 まとめ
3. ULVAC
 3.1 はじめに
 3.2 従来カソードの課題
 3.3 ムービングカソード
  (1) 成膜方式
  (2) プレスパッタポジション
  (3) 入射成分制御
 3.4 ムービングカソード成膜IGZO膜評価
  (1) 膜厚面内均一性について
  (2) TFT特性
 3.5 第10.5世代(G10.5)対応スパッタリング装置
 3.6 おわりに
4. 日本セミラボ
 4.1 はじめに
 4.2 フラットパネル分野向けµ-PCD/µ-PCR
 4.3 メトロジーの概要
  (1) UVレーザーによる励起
  (2) 過渡挙動のマイクロ波検出
  (3) マイクロ波応答の評価
 4.4 ディスプレイ(FPD)用検査装置
参考文献

第5章 酸化物半導体関連部材
1. はじめに
2. AGC
 2.1 はじめに
 2.2 キャリアガラス基板を用いた製造プロセス
  (1) フレキシブルOLEDディスプレイ
  (2) その他の電子デバイス
 2.3 キャリア基板の典型的な要件
  (1) 剛性
  (2) 寸法安定性
  (3) 光透過率
  (4) 化学的耐久性
 2.4 製造プロセス中の寸法変化の評価
  (1) 熱収縮
  (2) 残留歪による変形
 2.5 結論
 2.6 AN RezostaTM
3. Corning
 3.1 酸化物TFTプロセスで使用されるガラス基板の課題
  (1) ELASTIC DISTORTION
  (2) STRESS RELAXATION
  (3) COMPACTION
  (4) SAG
  (5) TOTAL THICKNESS VARIATION
  (6) ENABLING LARGE GEN SIZES
  (7) BALANCING FAST ETCHING AND SLUDGE GENERAT
 3.2 まとめ
 3.3 Corning®Astra™Glass
4. ターゲット
 4.1 JX 金属
 4.2 ULVAC
 4.3 三井金属
  (1) MMF法とは
  (2) 平板(プレーナー)ターゲット
  (3) 円筒型(ロータリー)ターゲット
参考文献

第6章 グリーンプロセスによる酸化物半導体薄膜の作製
1. はじめに
2. グリーンプロセスとは
 2.1 電子デバイス製造の限界
 2.2 現行生産方式の課題とグリーンプロセス
  (1)投資生産性とは
  (2)グリーンプロセスとは
 2.3 ダイレクト・デジタル・ファブリケ ーション
 2.4 グリーンプロセス技術を実現するための装置・部材メーカーの役割
 2.5 グリーンプロセスを用いたデバイスが目指す市場
 2.6 装置・部材メーカーの役割
  (1) 装置メーカーの役割
  (2) 部材メーカーの役割
3. All-Solution Approach to Oxide ThinFilm Transistor Fabrication using Photo-assisted Method 3)
 3.1 はじめに
 3.2 全溶液プロセスによるIZO-TFTの作製
 3.3 TFTの特性
  (1) UV及びELA処理条件とTFT特性
  (2) TFT特性の安定性
  (3) 解析
 3.4 まとめ
4. Effect of Solution Processed High-k Hybrid Gate Insulator Film Curing Temperature on Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Performance 5)
 4.1 はじめに
 4.2 TFT作製方法とTFT特性
 4.3 High-k Hybrid Film
 4.4 まとめ
5. Stability Improvement of Solution Processed Amorphous In-Zn-O ThinFilm Transistors via Low Temperature Solution Processed Passivation
 5.1 はじめに
 5.2 光緩効性 Polysilsesquioxane(PSQ)とTFT作製
 5.3 TFT特性と信頼性
 5.4 解析
 5.5 まとめ

参考文献

おわりに

謝辞