パワー半導体次世代競争、立ちはだかるシリコンの牙城、高性能の化合物デバイス続々

　シリコンを超える性能を持つ次世代パワーデバイス材料として開発・実用化が進む化合物半導体。実用化が始まった炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）に加え、今後は次世代の酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）もエピタキシャルウエハーやデバイスの量産が始まる見込みだ。一方、パワー半導体全体が一足飛びに化合物に切り替わるわけではない、複雑な背景も浮かび上がってきた。続きは本紙で

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