イノサイエンス、ＧａＮパワーデバイスで日本参入

　中国イノサイエンスは窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイスで日本市場に参入する。ＧａＮ層のエピタキシャル成長からモジュールまでの垂直統合（ＩＤＭ）体制で、低コストでノーマリーオフのトランジスタを展開。大電力対応に加えて、省エネ性を生かしシリコン（Ｓｉ）品の置き換えも促す。世界全体で２０２２年の車載展開を目指すなか、日本駐在事務所（大阪府高槻市）による営業活動を強化し、日本でもデバイスメーカーや商社などへの提案を強化。広範分野で普及を目指す。続きは本紙で

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