京セラはパワー半導体の接合材料である銀シンター（焼結）ペーストの量産体制を整えた。ハンダに続く次世代の接合技術と位置づけられており、熱伝導率を従来の６０～８０ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）から、２５０Ｗ／ｍ・Ｋまで向上させた。高熱伝導率により、従来のシリコンだけでなく炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体もカバーできる。ＥＶ市場の拡大に連動してパワー半導体の需要が高まるなか、ＳｉＣの要求に応えられる銀焼結剤の浸透を図る。さらに、銀の次の世代とされる銅焼結剤の研究開発を進めており、２０２５～３０年にかけての市場投入を目指す。続きは本紙で
