格差生む半導体微細化技術、期待の金属酸化物、ＩＭＥＣが実証、産総研はトランジスタ構造刷新

　半導体業界が次々世代の微細プロセスへ向けて新技術を続々と開発している。すでにＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィが量産に適用されているが、３ナノメートル以降のプロセスになると金属酸化物レジストが台頭する可能性がある。露光機の開口度（ＮＡ）も解像度向上のために高くなる。今後どのような部材が必要になるのか、ベルギーのマイクロエレクトロニクス研究開発機関（ＩＭＥＣ）は新施設で研究開発に取り組むことにした。一方、トランジスタの構造も刷新される。産業技術総合研究所（ＡＩＳＴ）と台湾半導体研究中心（ＴＳＲＩ）は異種薄膜を貼り合わせた構造を開発、３年内に企業への技術移転を目指す。続きは本紙で

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