ＧａＮ単結晶の量産法　低圧化で大型炉適応　東北大、三菱ケミなど開発

　東北大学の秩父重英教授らと日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶基板の量産法を開発した。低圧酸性アモノサーマルという手法で、高圧だったプロセスを低圧化することにより超大型炉への適用を可能にした。ＧａＮは高性能な半導体材料として知られているが、その基板となる高品質なＧａＮ単結晶を量産する手法が存在しなかった。ＧａＮトランジスタの量産化により電力変換効率の大幅な向上が期待される。続きはこちら

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